[发明专利]一种氮化锌锡pn结及其制备方法

摘要

本发明公开了一种氮化锌锡pn结及其制备方法，该pn结包括紧密接触的p型半导体和n型半导体，以及分别设于所述p型半导体和n型半导体上的第一电极和第二电极，其特征在于，所述的p型半导体的材料为Si，所述的n型半导体的材料为ZnSnN2。本发明的pn结有明显的整流效应，在太阳能电池领域具有潜在的应用价值。

主权项

一种氮化锌锡pn结，包括紧密接触的p型半导体和n型半导体，以及分别设于所述p型半导体和n型半导体上的第一电极和第二电极，其特征在于，所述的p型半导体的材料为Si，所述的n型半导体的材料为ZnSnN2；所述n型半导体的厚度为60nm～300nm；所述的n型半导体的盘面直径为100μm；所述p型半导体与n型半导体之间为面接触，所述的n型半导体位于p型半导体接触面的中部区域，所述的第一电极环绕于所述的n型半导体布置；所述的n型半导体和设置于n型半导体表面的第二电极都为圆盘状，两者以盘面相接触，并且所述第二电极的盘面直径小于n型半导体的盘面直径；所述的第一电极为环绕于n型半导体的圆环。