[发明专利]一种区熔硅单晶生长中预防多晶出刺的工艺有效
| 申请号： | 201510428003.X | 申请日： | 2015-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN106702473B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 陈海滨;李磊;索思卓;李明飞;白杜娟 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/28 | 分类号： | C30B13/28;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种区熔硅单晶生长中预防多晶出刺的工艺，用于悬浮区熔法生长单晶硅的放肩阶段，在单晶直径在20mm‑80mm阶段提高籽晶的下拉速度，提高多晶料的下压速度，降低多晶料的转速，并增加线圈功率。当单晶直径长大至20mm时，籽晶的下拉速度保持在3.5‑5mm/min，多晶料的转速根据多晶料化料的状态在0.2‑0.4rpm之间调节；增加多晶料的下压速度；以每隔10秒增加0.5％功率的频次增加，至功率值比低下拉速度时的功率设定值高1％，以使单晶直径增加到80mm。通过采用本发明预防多晶刺的生长工艺，可以降低单晶失败的几率，提高单晶寿命，进而增加单晶的收率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 区熔硅单晶 生长 预防 多晶 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种区熔硅单晶生长中预防多晶出刺的工艺，用于悬浮区熔法生长单晶硅的放肩阶段，其特征在于，在单晶直径在20mm‑80mm阶段提高籽晶的下拉速度，提高多晶料的下压速度，降低多晶料的转速，并增加线圈功率；当单晶直径长大至20mm时，籽晶的下拉速度保持在3.5‑5mm/min，多晶料的转速根据多晶料化料的状态在0.2‑0.4rpm之间调节；多晶料的下压速度比低拉速时增加0.3mm/min；以每隔10秒增加0.5％功率的频次增加，至功率值比低下拉速度时的功率设定值高1％，以使单晶直径增加到80mm。
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