[发明专利]厚外延工艺中光刻对准标记的制作方法

摘要

本发明公开了一种厚外延工艺中光刻对准标记的制作方法，步骤包括：1)硅衬底表面沉积介质膜，刻蚀光刻对准标记；介质膜与硅衬底刻蚀比在5:1以上，介质膜与硅衬底外延生长速率比值在1:200以下；2)刻蚀掉光刻对准标记区域以外的介质膜，并在光刻对准标记周边的硅衬底上刻蚀出沟槽，形成带有光刻对准标记的台阶；3)硅衬底上刻蚀沟槽，选择性外延填充，在沟槽内填入第一外延；4)选择性外延生长，在硅衬底上形成厚20～40μm的第二外延。本发明通过在厚外延层工艺之前，制作一个带有光刻对准标记的台阶，并利用选择性外延使厚外延工艺之后，光刻对准标记无外延材料覆盖，如此消除了厚外延工艺对光刻标记的影响，提高了后续层次对准的精度。

主权项

1.厚外延工艺中光刻对准标记的制作方法，其特征在于，步骤包括：1)在硅衬底表面沉积介质膜，刻蚀形成光刻对准标记；所述介质膜与硅衬底的刻蚀比在5:1以上，介质膜上外延的生长速率与硅衬底上外延的生长速率的比值在1:200以下；步骤1)所述介质膜的厚度根据最终的外延厚度要求并结合步骤2)中刻蚀硅衬底的深度确定；2)刻蚀掉光刻对准标记区域以外的介质膜，并在光刻对准标记周边的硅衬底上刻蚀出沟槽，形成一个带有光刻对准标记的台阶；所述光刻对准标记周边沟槽的宽度和深度根据最终的外延厚度确定；所述台阶的宽度比划片槽小，长度根据光刻对准标记尺寸定义；台阶高度根据最终的外延厚度要求，通过调整介质膜厚度和光刻对准标记周边硅衬底的刻蚀深度确定；3)在硅衬底上刻蚀出沟槽，并进行选择性外延填充，在沟槽内填入第一外延；4)选择性外延生长，在硅衬底上形成厚度为20～40μm的第二外延；在所述光刻对准标记周围刻蚀的沟槽保证所述第二外延工艺后，所述光刻对准标记台阶处无外延覆盖。