[发明专利]碳‑硅复合材料的制备方法有效
| 申请号： | 201510425473.0 | 申请日： | 2015-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN105280894B | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 郑恩惠;金尧燮;郑圣虎;河正贤 | 申请（专利权）人： | OCI有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/587;H01M10/052 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 巩克栋,杨生平 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开了一种碳‑硅复合材料的制备方法，包括(a)制备包括硅(Si)‑嵌段共聚物核壳颗粒的浆液；(b)将所述浆液与碳原料混合以制备混合溶液；(c)对所述混合溶液进行初级碳化过程，接着粉碎，以制备初级碳‑硅复合材料；和(d)对所述初级碳‑硅复合材料进行第二碳化过程，接着粉碎，以制备次级碳‑硅复合材料，所述碳‑硅复合材料、通过应用所述碳‑硅复合材料制备的用于二次电池的阳极和包括所述用于二次电池的阳极的二次电池。 | ||
| 搜索关键词： | 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
碳‑硅复合材料的制备方法，包括：(a)制备包括硅(Si)‑嵌段共聚物核‑壳颗粒的浆液；(b)将所述浆液与碳原料混合以制备混合溶液；(c)对所述混合溶液进行初级碳化过程，接着粉碎，以制备初级碳‑硅复合材料；和(d)对所述初级碳‑硅复合材料进行第二碳化过程，接着粉碎，以制备次级碳‑硅复合材料；其中，(c)中的初级碳化过程在1‑20bar压力下在400℃‑600℃进行1‑24小时，且(d)中的第二碳化过程在0.5‑20bar压力下在900℃‑1400℃进行0.5‑24小时；所述硅(Si)‑嵌段共聚物由对硅具有高亲和性的嵌段和对硅具有低亲和性的嵌段组成。
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