[发明专利]一种新型BiCMOS电压峰值锁存电路设计在审
| 申请号： | 201510425045.8 | 申请日： | 2015-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN106374887A | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 马利峰 | 申请（专利权）人： | 马利峰 |
| 主分类号： | H03K3/356 | 分类号： | H03K3/356 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路技术领域，公开了一种用于开关电源芯片的新型BiCMOS电压峰值锁存电路设计，这种电路运用BiCMOS技术，由延时电路、控制电路、锁定电路等部分组成，在延时模块中采用一种可实现温度补偿的延时电路，采用很小的电容即可实现延时要求，有效的结合控制信号实时的检测电压信号幅度变化并有效的去除开关电路初始时刻产生的电压尖峰，并将峰值电压快速锁定保存。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 bicmos 电压 峰值 电路设计 | ||
【主权项】：
一种新型BiCMOS电压峰值锁存电路设计，其特征在于包含以下步骤：1)BiCMOS电压峰值锁存电路由延时电路、控制电路、锁定电路构成；2)BiCOMS延时电路包括：M1、M2构成的MOS管电流镜电路、M3构成的MOS控制管，M4，M5，M6，M9构成的电流偏置电路以及Bipolar晶体管Q1和充电电容C0；3)控制电路结构包括一个MOS管M7，M8构成的反相器以及反相器INV1，INV2和或非门NOR1，NOR2；4)锁定电路包括M10，M11，M12，M13构成的两个传输门和单位增益电压缓冲器。
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