[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201510423235.6 | 申请日： | 2015-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN106356330B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;张城龙;周俊卿 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底表面形成有介质层；采用第一刻蚀工艺刻蚀去除第一厚度的介质层，在所述介质层中形成预开口；采用沉积工艺，在所述预开口底部和侧壁表面沉积硅层；采用第二刻蚀工艺，刻蚀去除位于所述预开口底部表面的硅层，且刻蚀去除位于预开口下方的第二厚度的介质层；重复循环所述沉积工艺、第二刻蚀工艺，直至形成贯穿所述介质层的开口，所述开口底部暴露出基底表面；形成填充满所述开口的导电层。本发明改善形成的开口侧壁形貌，从而提高了形成的半导体结构的击穿电压，改善时间相关介质击穿问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面形成有介质层；采用第一刻蚀工艺刻蚀去除第一厚度的介质层，在所述介质层中形成预开口；采用沉积工艺，在所述预开口底部和侧壁表面沉积硅层；采用第二刻蚀工艺，刻蚀去除位于所述预开口底部表面的硅层，暴露出所述预开口底部；继续采用第二刻蚀工艺，刻蚀去除位于所述暴露出的预开口底部下方的第二厚度的介质层；重复循环所述沉积工艺、第二刻蚀工艺，直至形成贯穿所述介质层的开口，所述开口底部暴露出基底表面；形成填充满所述开口的导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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