[发明专利]一种低表面复合背面电极太阳能电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种低表面复合背面电极太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：a)对硅片依次进行制绒、热扩散制p-n结、硅片背面抛光和去磷硅玻璃；b)在所述硅片正面进行PECVD镀膜，形成SiNx减反膜；c)在硅片背面印刷纳米硅浆料，形成纳米硅电极；d)将纳米硅电极在700-850℃的烧结炉中进行快速烧结后在所述纳米硅电极下的硅片背面形成P+硅。e)在纳米硅电极上制备Ag背电极；f)在硅片背面制备Al背电场；g)硅片正面制备Ag正电极；h)对硅片进行高温烧结形成太阳能电池。与现有技术相比，本发明具有能在降低背面电极电阻的同时，也能大大降低了硅片背面的载流子复合速率，将电池的转换效率提升的优点。

主权项

一种低表面复合背面电极太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a)对硅片依次进行制绒、热扩散制p‑n结、硅片背面抛光和去磷硅玻璃；b)在所述硅片正面进行PECVD镀膜，形成SiNx减反膜；c)在硅片背面印刷纳米硅浆料，形成纳米硅电极；d)将纳米硅电极在700‑850℃的烧结炉中进行快速烧结后在所述纳米硅电极下的硅片背面形成P+硅。e)在纳米硅电极上制备Ag背电极；f)在硅片背面制备Al背电场；g)硅片正面制备Ag正电极；h)对硅片进行高温烧结形成太阳能电池。