[发明专利]一种两步法制备二硫化钼薄膜的工艺

摘要

本发明公开了一种两步法制备二硫化钼薄膜的工艺。其步骤A、对衬底表面进行清洗；B、称取三氧化钼粉末放置在石英舟内，置于管式炉内；将衬底置于装有三氧化钼的石英舟下游；C、称取硫粉于料瓶中，将伴热带缠绕在料瓶外围且置于管式炉体外，料瓶中的进、出气管接入管式炉的进气管路中；D、抽真空，通入Ar将管式炉加热，进行第一步沉积；E.第一步沉积结束后，进行第二步沉积；F、将料瓶加热，然后通入Ar进行三氧化钼的硫化；G.将料瓶与管式炉自然降至室温，取出样品进行测试。采用本工艺，避免了传统化学气相沉积过程中硫的蒸发时间的不可控所导致的三氧化钼的提前硫化，采用两步法制备二硫化钼薄膜，能够使整个反应过程更加可控。

主权项

一种两步法制备二硫化钼薄膜的工艺，其特征在于，该工艺包括以下步骤：（A）.对蓝宝石衬底表面进行清洗；（B）.称取一定量的三氧化钼粉末，放置在石英舟内，然后置于管式炉加热中心区；将蓝宝石衬底置于装有三氧化钼的石英舟的下游；（C）.称取一定量的高纯硫粉置于不锈钢料瓶中，将伴热带缠绕在不锈钢料瓶外围，作为生长的硫源，且置于管式炉体外，不锈钢料瓶中的进气管和出气管接入管式炉的进气管路中；（D）.将管式炉抽真空，通入Ar作为载气，控制压力为950‑1050mbar，将管式炉加热800℃‑1000℃，开始进行第一步三氧化钼沉积，沉积时间为15‑40min；（E）.第一步三氧化钼沉积后，将装有硫粉的不锈钢料瓶以恒定速率加热190‑210℃，然后通入Ar进行三氧化钼的硫化，硫化时间为55‑65min；（F）.硫化结束后，将装有硫粉的不锈钢料瓶与管式炉自然降至室温，取出样品进行测试。