[发明专利]一种晶体硅太阳能电池栅线、电极、背电场的制作工艺

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池栅线、电极、背电场的制作工艺，其采用已经过制绒、化学清洗、扩散、刻蚀、去磷、PECVD等工艺处理后的晶体硅电池作为基材；采用A料替代现有工艺中的银浆，采用B料替代现有工艺中的铝浆；采用3D打印技术中的选择性激光烧结法制作晶体硅电池栅线、电极、背电场，工艺主要包括背面电极制作、背电场制作、正面栅线及正面电极制作。本发明具有以下优点制成后的太阳能电池片透光面积大，电阻低，导电性强，光电转换效率高；制作过程中无化学物质排放，绿色环保；采用的微晶玻璃粉为无铅材料，不会污染环境；工艺简单，易于操作，生产效率高；原材料成本低。

主权项

一种晶体硅太阳能电池栅线、电极、背电场的制作工艺，其特征在于其按照如下步骤进行：步骤I：基材的选择：本发明选择已经过制绒、化学清洗、扩散、刻蚀、去磷、PECVD等工艺处理后的晶体硅电池作为基材；步骤II：A料、B料的制作：本发明采用将A料替代现有工艺中的银浆，采用B料替代现有工艺中的铝浆，所述A料由具有高膨胀系数、低熔点、透光性好的微晶玻璃粉与银粉按一定比例混合调配而成，所述银粉和所述微晶玻璃粉的比例为9‑18∶1，所述B料由所述微晶玻璃粉与铝粉按一定比例混合调配，所述铝粉和所述微晶玻璃粉的比例为9‑18∶1；步骤III：采用3D打印技术中的选择性激光烧结法制作晶体硅电池栅线、电极、背电场，具体制作工艺如下：背面电极制作：采用所述A料平铺于已选择的晶体硅电池基材的背面上，平铺厚度为15‑30μm，在所需位置采用3D打印技术中的选择性激光烧结法，制作2‑6条背面电极，所述背面电极的宽度为0.5‑2.0mm，激光融化温度控制在500‑900℃，清除掉多余的所述A料，完成背面电极制作；背电场制作：采用所述B料平铺于已完成背面电极制作的所述晶体硅电池基材的背面上，平铺厚度为15‑30μm，在所需位置采用3D打印技术中的选择性激光烧结法，制作所需的背电场，激光融化温度控制在500‑900℃，清除掉多余的所述B料，完成背电场制作；正面栅线及正面电极制作：在已完成背电场制作的所述晶体硅电池基材的正面平铺所述A料，平铺厚度为15‑20μm，栅线间距为1.5‑2.5mm，栅线宽度为10‑20μm，并利用3D打印技术的特性同时制作完成正面电极，所述正面电极的位置与所述背面电极相对应，且与所述栅线垂直，所述正面电极设有2‑6条，所述正面电极宽度为0.25‑1.0mm，清除掉多余的所述A料，完成正面栅线及正面电极的制作。