[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种具有低驱动电压的第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法。P型半导体层的形成步骤包括：通过供给掺杂剂气体和包含至少第III族元素的第一原料气体在发光层上形成p侧超晶格层的p型覆层形成步骤；通过供给第一原料气体和掺杂剂气体在p侧超晶格层上形成p型中间层的p型中间层形成步骤；在p型中间层形成步骤之后，供给掺杂剂气体同时停止供给第一原料气体的掺杂剂气体供给步骤；以及掺杂剂气体供给步骤之后，通过供给第一原料气体和掺杂剂气体在p型中间层上形成p型接触层的p型接触层形成步骤。

主权项

1.一种用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，所述方法包括：形成n型半导体层；在所述n型半导体层上形成发光层；以及在所述发光层上形成p型半导体层；其中所述形成p型半导体层包括：通过供给包含NH3气、Mg掺杂剂气体和至少第III族元素的原料气体，在所述发光层上形成p型覆层；在第一阶段中通过以第一Ga流量供给Ga原料气体和供给所述NH3气，以及通过以第一Mg流量供给所述Mg掺杂剂气体，在所述p型覆层上形成由p型GaN组成的p型中间层；在第二阶段的开始点处停止供给所述Ga原料气体使得在形成所述p型中间层完成之后在所述第二阶段中所述p型GaN不生长；在所述第二阶段的开始点处以阶跃函数的方式将所述Mg掺杂剂气体的流量从所述第一Mg流量增加至第二Mg流量；在所述第二阶段之后的第三阶段中通过以低于所述第一Ga流量的第二Ga流量供给所述Ga原料气体以及供给所述NH3气，以及将所述Mg掺杂剂气体的流量保持在所述第二Mg流量，在所述p型中间层上形成由p型GaN组成的p型接触层，其中所述p型接触层的厚度为0.5nm至10nm，以及在所述p型接触层上形成p电极。