[发明专利]导电过孔结构、阵列基板和显示装置的制作方法有效
| 申请号： | 201510415374.4 | 申请日： | 2015-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN104992925B | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 林致远;黄寅虎;邹志翔;操彬彬 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 230011 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种导电过孔结构的制作方法、阵列基板的制作方法和显示装置的制作方法，所述阵列基板的制作方法包括：形成包括第一金属结构的第一金属层；在所述第一金属层上形成非金属层薄膜，使所述非金属层薄膜包括对应所述第一金属结构的第一部分；在所述非金属层薄膜上形成有机绝缘层薄膜，对所述有机绝缘层薄膜进行图案化处理以形成对应所述第一部分的第一有机绝缘层过孔；对经过所述图案化处理的所述有机绝缘层薄膜进行烘烤处理以形成有机绝缘层；以及在形成所述有机绝缘层之后，去除所述非金属层薄膜的所述第一部分，以形成非金属层并暴露出所述第一金属结构的部分表面。该方法可以在低成本的前提下尽量避免金属结构在形成有机绝缘层之后被严重氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 结构 阵列 显示装置 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制作方法，包括：形成第一金属层，其中，所述第一金属层包括第一金属结构；在所述第一金属层上形成非金属层薄膜，其中，所述非金属层薄膜包括对应所述第一金属结构的第一部分；在所述非金属层薄膜上形成有机绝缘层薄膜，对所述有机绝缘层薄膜进行图案化处理以形成第一有机绝缘层过孔，其中，所述第一有机绝缘层过孔对应所述第一部分；对经过所述图案化处理的所述有机绝缘层薄膜进行烘烤处理以形成有机绝缘层；以及在形成所述有机绝缘层之后，去除所述非金属层薄膜的所述第一部分，以形成非金属层并暴露出所述第一金属结构的部分表面，其中，在对所述有机绝缘层薄膜进行所述烘烤处理之后去除所述非金属层薄膜的所述第一部分，所述第一金属结构的形成材料包括铜金属或铜合金。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司，未经合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510415374.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
