[发明专利]基于多次曝光的跨尺度微结构制造方法有效
| 申请号： | 201510414018.0 | 申请日： | 2015-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN105022234B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 贺永;肖箫;傅建中;吴文斌;吴燕 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司33224 | 代理人： | 黄燕 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于多次曝光的跨尺度微结构制造方法，包括(1)按照尺寸大小，对待加工跨尺度微结构分类，小尺寸的结构为一级结构，大尺寸的结构为二级结构，分别制作一级结构掩膜和二级结构掩膜；(2)将掩膜置于光敏印章机内，对其内的光敏印章垫进行曝光处理，先使用一级结构掩膜，曝光转印获得含一级结构的印章垫，然后基于含一级结构的印章垫，使用二级结构掩膜曝光，最终获得跨尺度微结构的印章垫。本发明提出的基于光敏印章的跨尺寸微制造方法，使用目前非常成熟的光敏印章作为微制造的核心模版。本发明不需要洁净间的苛刻条件，不需要绝对平整的表面、不需要昂贵的光刻技术，具有操作灵活方便，加工精度高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 多次 曝光 尺度 微结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种基于多次曝光的跨尺度微结构制造方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)按照尺寸大小，对待加工跨尺度微结构分类，小尺寸的结构为一级结构，大尺寸的结构为二级结构，分别制作与一级结构对应的一级结构掩膜和与二级结构对应的二级结构掩膜；(2)依次将一级结构掩膜或二级结构掩膜置于光敏印章机内，对光敏印章机内的光敏印章垫进行曝光处理：先使用一级结构掩膜，曝光转印获得含一级结构的印章垫，然后基于含一级结构的印章垫，使用二级结构掩膜曝光，最终获得跨尺度微结构的光敏印章垫。
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