[发明专利]一种对晶圆中的低对比度定标区域实施定标的方法有效
| 申请号： | 201510410096.3 | 申请日： | 2015-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN106356310B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 周坚;陈星 | 申请（专利权）人： | 睿励科学仪器（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对晶圆中的低对比度定标区域实施定标的方法，其中，包括如下步骤：C.确认是否有与所述晶圆相对应的，且未被使用的光源制程，所述光源制程用于在定标过程中为晶圆中低对比度的定标区域确定定标光源的最优波长；c1.当具有所述光源制程时，从所述光源制程中获取所述最优波长；c2.当没有所述光源制程时，通过测量确定所述最优波长；D.把所述定标光源的波长设定为所述最优波长；E.对所述定标区域实施定标；其中，所述定标区域在具有所述最优波长的定标光源的照射下具有便于识别的对比度。本发明还公开了一种对晶圆中的低对比度定标区域实施定标的装置和一种设定光源制程的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中的 对比度 定标 区域 实施 标的 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对晶圆中的低对比度定标区域实施定标的方法，其中所述定标是指确定晶圆位置的过程，所述方法包括如下步骤：C.确认是否有与所述晶圆相对应的，且未被使用的光源制程，所述光源制程用于在定标过程中为晶圆中低对比度的定标区域确定定标光源的最优波长；c1.当具有所述光源制程时，从所述光源制程中获取所述最优波长；c2.当没有所述光源制程时，通过测量确定所述最优波长；D.把所述定标光源的波长设定为所述最优波长；E.对所述定标区域实施定标；其中，所述定标区域在具有所述最优波长的定标光源的照射下具有便于识别的对比度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
