[发明专利]显示装置在审
| 申请号: | 201510408263.0 | 申请日: | 2015-07-13 |
| 公开(公告)号: | CN105278196A | 公开(公告)日: | 2016-01-27 |
| 发明(设计)人: | 三宅秀和;石田有亲;植村典弘;三宅博都;铃村功;山口阳平 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号: | G02F1/1368 | 分类号: | G02F1/1368;H01L29/786;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 高迪 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 一个实施方式的显示装置具备薄膜晶体管,该薄膜晶体管具备第一半导体层(12)、第一绝缘膜(14)、栅电极(WG)、第二绝缘膜(16)、第二半导体层(18)、第一电极及第二电极。间隔(T14)比间隔(T16)大。 | ||
| 搜索关键词: | 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种显示装置,具备薄膜晶体管,该薄膜晶体管具备:第一半导体层,具有第一区域、第二区域、以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的第一沟道区域;第一绝缘膜,形成于所述第一半导体层的第一沟道区域之上;栅电极,形成于所述第一绝缘膜之上,与所述第一沟道区域对置;第二绝缘膜,形成于所述栅电极之上;第二半导体层,形成于所述第二绝缘膜之上,与所述第一半导体层对置,具有与所述第一区域电连接的第三区域、与所述第二区域电连接的第四区域、位于所述第三区域与所述第四区域之间且与所述栅电极对置的第二沟道区域;第一电极,位于所述第二半导体层的上方,与所述第三区域接触;以及第二电极,位于所述第二半导体层的上方,与所述第一电极隔开间隔,与所述第四区域接触;相互对置的所述栅电极的底面与所述第一沟道区域的上表面之间的间隔,大于相互对置的所述栅电极的上表面与所述第二沟道区域的底面之间的间隔。
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