[发明专利]一种CMOS图像传感器及其制作方法在审
| 申请号： | 201510405716.4 | 申请日： | 2015-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN106328663A | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 何昭文;李曼曼;王奇峰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种CMOS图像传感器及其制作方法，包括：具有第一导电类型的半导体衬底；位于所述半导体衬底上的具有第二导电类型的光电二极管区，所述光电二极管区在光照下产生光生载流子；用于处理所述光生载流子的外围电路；位于所述光电二极管区内的端口，所述端口连接光电二极管区与所述外围电路；位于所述光电二极管区内的具有第二导电类型的载流子传输沟道，所述载流子传输沟道的掺杂浓度高于所述光电二极管区的掺杂浓度，所述载流子传输沟道与所述端口相连。本发明的CMOS图像传感器可以有效的将光电二极管区内的电子通过传输晶体管导入浮置扩散区而改善拖尾效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 图像传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS图像传感器，包括：具有第一导电类型的半导体衬底；位于所述半导体衬底上的具有第二导电类型的光电二极管区，所述光电二极管区在光照下产生光生载流子；用于处理所述光生载流子的外围电路；位于所述光电二极管区内的端口，所述端口连接光电二极管区与所述外围电路；位于所述光电二极管区内的具有第二导电类型的载流子传输沟道，所述载流子传输沟道的掺杂浓度高于所述光电二极管区的掺杂浓度，所述载流子传输沟道与所述端口相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
