[发明专利]一种高压启动电路有效
申请号: | 201510404773.0 | 申请日: | 2015-07-10 |
公开(公告)号: | CN104917382B | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 罗杰;李秋平 | 申请(专利权)人: | 上海灿瑞科技股份有限公司 |
主分类号: | H02M3/155 | 分类号: | H02M3/155 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司31002 | 代理人: | 邓琪,余中燕 |
地址: | 200072 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种高压启动电路,包括高压转低压模块及低压转输出电压模块,其中,所述高压转低压模块包括一第一电阻、一第二电阻和一第三电阻;一第一MOS管,其栅极接收外围输入的使能电压信号,源极通过所述第一电阻接地,漏极通过所述第二电阻连接至一高压电源;一电流镜单元,其基准端连接至所述第一MOS管的漏极,输出端通过所述第三电阻接地;以及一齐纳二极管,其并联在所述第三电阻的两端;所述低压转输出电压模块包括一第四MOS管,其栅极连接至所述第三MOS管的漏极,漏极连接至所述高压电源,源极接地。本发明的高压启动电路中的所有MOS管均可采用LV gate MOS管实现,与现有技术必须采用HV gate MOS管的高压启动电路相比,显然节省了成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 高压 启动 电路 | ||
【主权项】:
一种高压启动电路,其特征在于,包括高压转低压模块及低压转输出电压模块,其中,所述高压转低压模块包括:一第一电阻、一第二电阻和一第三电阻;一第一MOS管,其栅极接收外围输入的使能电压信号,源极通过所述第一电阻接地,漏极通过所述第二电阻连接至一高压电源;一电流镜单元,其基准端连接至所述第一MOS管的漏极,输出端通过所述第三电阻接地;以及一齐纳二极管,其并联在所述第三电阻的两端;所述低压转输出电压模块包括一第四MOS管,其栅极连接至所述电流镜单元的输出端,漏极连接至所述高压电源,源极接地。
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