[发明专利]薄膜晶体管和阵列基板的制备方法及相关装置在审
| 申请号： | 201510400941.9 | 申请日： | 2015-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN104966674A | 公开（公告）日： | 2015-10-07 |
| 发明（设计）人： | 袁广才;闫梁臣;徐晓光;王磊;彭俊彪;兰林锋 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/44;H01L29/786;H01L29/423;H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管和阵列基板的制备方法及相关装置，由于栅极绝缘层是通过对栅电极初始层的表面进行氧化处理形成的，因此与现有技术中通过PECVD的方法形成二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)材料的绝缘层相比，可以避免采用PECVD设备，从而可以降低生产成本；并且由于栅极绝缘层是通过对栅电极初始层的表面进行氧化处理形成的，因此可以在常温的环境下进行，从而有利于柔性衬底基板的使用。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 制备 方法 相关 装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底基板上形成有源层、以及源电极和漏电极的图形；其特征在于：在形成所述有源层之前，还包括:在所述衬底基板上形成栅电极初始层，且所述栅电极初始层的表面为金属材料；对所述栅电极初始层的表面进行氧化处理，使所述栅电极初始层的表面被氧化形成栅极绝缘层，所述栅电极初始层中未被氧化的部分形成栅电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
