[发明专利]用于深部位经颅磁刺激的多层偏心8字形线圈

摘要

用于深部位经颅磁刺激的多层偏心8字形线圈，采用多层布置线圈，第一层构成基础8字形线圈，下面各层线圈沿8字形线圈中心线对称分布，调节磁场和感应电场。各层线圈中心线与对称轴的距离通过优化方法确定，优化的目标是使线圈表面产生的感应电场E(z0)和深部位感应电场E(z)比值最小。各层线圈可以在同一平面上布置，也可以相交成一定角度。本发明在深部位达到阈电位时，线圈表面感应电场处于安全的范围内，并在深部位有良好的聚焦。本发明得到的多层偏心8字形线圈沿深度方向感应电场衰减指标接近甚至优于H线圈。

主权项

用于深部位经颅磁刺激的多层偏心8字形线圈，其特征在于，由n(n≥2)层线圈组成，沿轴向叠加，最上层的一对线圈相切，组成基础8字形线圈，产生基础磁场和感应电场；以基础8字形线圈的切线为对称轴，下层的线圈成对出现；下面各层线圈中心轴与对称轴的距离求解的优化方法为：目标函数：min E(z0)/E(z)约束条件：lb(r2,r3,...,rn)≤(r2,r3,...,rn)≤ub(r2,r3,...,rn)式中，E(z0)为距最下层线圈深度为z0处的8字形线圈中心线上的感应电场，E(z)为距最下层线圈深度为z处的8字形线圈中心线上的感应电场，E(z0)/E(z)为二者的比值，优化的目标是使E(z0)/E(z)最小；优化变量为(r2,r3…,rn)，r2,r3…,rn为下层线圈2、线圈3，…,线圈n中心线到8字形中心线的距离，lb(r2,r3…,rn)和ub(r2,r3…,rn)分别为下边界条件和上边界条件，满足深部位磁刺激E(z0)/E(z)尽量小的要求。