[发明专利]包括共连接的垂直单元串的半导体装置

摘要

本发明公开了一种半导体装置，其包括：衬底上的各位线；衬底与位线之间的栅极结构；栅极结构与位线之间的共源极线；以及将位线连接至共源极线的沟道结构。沟道结构中的每一个可包括：多个第一垂直部分，其穿过栅极结构并且连接至位线；第二垂直部分，其穿过栅极结构并且连接至共源极线；以及水平部分，其设置在衬底与栅极结构之间，以将第一垂直部分与第二垂直部分彼此连接。

主权项

1.一种半导体装置，包括：衬底上的各位线；所述衬底与所述位线之间的栅极结构；所述栅极结构与所述位线之间的共源极线；以及将所述位线连接至所述共源极线的各沟道结构，其中，所述沟道结构中的每一个包括：多个第一垂直部分，其穿过所述栅极结构并且连接至所述位线；第二垂直部分，其穿过所述栅极结构并且连接至所述共源极线；以及水平部分，其位于所述衬底与所述栅极结构之间，以将所述多个第一垂直部分与所述第二垂直部分彼此连接；其中，所述栅极结构包括：堆叠在所述衬底上的各字线；所述字线与所述位线之间的串选择线；以及所述字线与所述共源极线之间的地选择线，其中，所述字线包括位于所述衬底与所述串选择线之间的上字线以及位于所述衬底与所述地选择线之间的下字线，并且所述下字线在平行于所述衬底的表面的方向上与所述上字线间隔开，其中，在所述沟道结构中的每一个中，所述多个第一垂直部分共同穿过所述上字线。