[发明专利]一种无运放低压低功耗的带隙基准电路在审

专利信息
申请号: 201510397791.0 申请日: 2015-07-08
公开(公告)号: CN104977971A 公开(公告)日: 2015-10-14
发明(设计)人: 邓龙利;刘铭 申请(专利权)人: 北京兆易创新科技股份有限公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 胡彬;邓猛烈
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提出一种无运放低压低功耗的带隙基准电路。该电路包括正温度系数电路、负温度系数电路和输出电路,其中,还包括:偏置电路,所述偏置电路包括偏置PMOS管和偏置NMOS管,所述偏置PMOS管与输出电路中的PMOS管并联;所述偏置PMOS管的漏极与所述偏置NMOS管源极相连;所述偏置NMOS管的栅极与正温度系数电路中第零三极管的集电极连接,所述偏置NMOS管的漏极与正温度系数电路中第一三极管的发射极连接;所述第一三极管的集电极和基极相连。增加了偏置电路,可以保证正温度系数电路中,三极管集电极的电压保持一致,不会随电源电压的变化使得电路的基准电流有变化,提高了输出电压对于电源变化的抑制能力。
搜索关键词: 一种 放低 压低 功耗 基准 电路
【主权项】:
一种无运放低压低功耗的带隙基准电路,包括正温度系数电路、负温度系数电路和输出电路,其特征在于,还包括:偏置电路,所述偏置电路包括偏置PMOS管和偏置NMOS管,所述偏置PMOS管与输出电路中的PMOS管并联;所述偏置PMOS管的漏极与所述偏置NMOS管源极相连;所述偏置NMOS管的栅极与正温度系数电路中第零三极管的集电极连接,所述偏置NMOS管的漏极与正温度系数电路中第一三极管的发射极连接;所述第一三极管的集电极和基极相连。
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