[发明专利]一种双面散热的半导体叠层封装结构有效
| 申请号： | 201510387811.6 | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105140205B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 石磊 | 申请（专利权）人： | 通富微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 226004 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双面散热的半导体叠层封装结构。该结构包括第一金属框架引脚，第一芯片，第一焊线、第一金属片和第二金属框架引脚，第二芯片，第二焊线、第二金属片。第一金属片的上方设置助焊剂，与第二芯片连接。第一芯片通过第一框架的第一引脚和第一金属片形成电路的连通，第二芯片通过第二框架的第一引脚、第二金属片和第一框架的其他引脚形成电路的连通。本发明构成了一种更为实用双面散热的半导体叠层封装结构。缩小了产品尺寸，节省了生产成本，简化了生产流程，提高产品的良率，保证产品的可靠性。在提高产品封装良率、降低生产成本、缩小产品尺寸的同时满足了大功率、高能耗、高散热产品的性能要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双面 散热 半导体 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种双面散热的半导体叠层封装结构，包括第一金属框架(1)，第一芯片(3)，第一焊线(4)，第一金属片(6、6‑1)构成的第一封装体(7)和第二金属框架(8)，第二芯片(10)，第二焊线(11)，第二金属片(13、13‑1)构成的第二封装体(14)，其特征在于：所述第一焊线(4)连接第一金属框架(1)的引脚和第一芯片(3)，第一金属片(6)位于第一芯片(3)之上，所述第二焊线(11)连接第二金属框架(8)的引脚和第二芯片(10)，第二金属片(13)位于第二芯片(10)之上，所述第一金属框架(1)和第二金属框架(8)的引脚高度大于第一芯片(3)和第二芯片(10)的厚度，所述第一焊线(4)与所述第二焊线(11)采用倒打线工艺焊接。
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