[发明专利]一种氮化硼块体陶瓷及其制备方法有效
申请号: | 201510383204.2 | 申请日: | 2015-07-03 |
公开(公告)号: | CN104944961B | 公开(公告)日: | 2017-06-16 |
发明(设计)人: | 邹春荣;李斌;张长瑞;王思青 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
主分类号: | C04B35/5833 | 分类号: | C04B35/5833;C04B35/622 |
代理公司: | 长沙星耀专利事务所43205 | 代理人: | 张慧,宁星耀 |
地址: | 410073 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 一种氮化硼块体陶瓷及其制备方法,所述氮化硼块体陶瓷,全部由硼吖嗪及其聚合物转化而来,不含杂质元素,陶瓷的纯度>99.9%,致密度>92%,热导率为2.86~4.56,介电常数为3.6~4.4。其制备方法,包括以下步骤(1)先驱体聚合物粉体的成型;(2)骨架烧成;(3)先驱体浸渍与交联固化;(4)陶瓷裂解转化;(5)重复步骤(3)和步骤(4)浸渍裂解循环0-5次,即得。本发明具有工艺可控,操作简单,易成型等特点,所制备的氮化硼陶瓷具有高纯度、高致密和良好的热学及介电性能,可用于制备高精度的电子器件和航天透波部件。 | ||
搜索关键词: | 一种 氮化 块体 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种氮化硼块体陶瓷的制备方法,其特征在于,所述氮化硼块体陶瓷全部由硼吖嗪及其聚合物转化而来,不含杂质元素,陶瓷的纯度>99.9%,致密度>92%,热导率为2.86~4.56 W•m‑1•K‑1,介电常数为3.6~4.4;所述氮化硼块体陶瓷的制备方法,包括以下步骤:(1)先驱体聚合物粉体的成型:将液态硼吖嗪在惰性气氛的保护下,升温至50~200℃, 保温12~96 h使其发生交联固化;将固化后的聚合物在惰性气氛的保护下,机械粉碎5~20 min后过50~200目筛;再将粉碎后的粉体成型;(2)骨架烧成:将成型后的坯体,在惰性气氛的保护下,以1~5 ℃/min的升温速率升温至1000~2100℃并保温2~5h,使坯体发生自交联裂解,并烧结生成骨架,之后以1~5 ℃/min的速率降温至室温;(3)先驱体浸渍与交联固化:将步骤(2)烧成的骨架置于液态硼吖嗪中浸渍,浸渍时间为2~3 h;将已浸渍硼吖嗪的骨架置于密闭容器中,在惰性气氛的保护下,升温至50~200 ℃并保温12~96h,使硼吖嗪发生交联直至固化,并与骨架紧密粘接在一起,得到骨架与固化后硼吖嗪的粘接混合物;(4)陶瓷裂解转化:将步骤(3)所得骨架与固化后硼吖嗪的粘接混合物置于高温炉中,在惰性气氛保护条件下,以1~5℃/min的升温速率升温至1000~2100℃,保温2~5 h,硼吖嗪发生裂解,陶瓷发生烧结,即得到增密处理的氮化硼陶瓷,高温烧结后以1~5 ℃/min的降温速率降温至室温;(5)重复步骤(3)和步骤(4)浸渍裂解循环0-5次,即得。
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