[发明专利]一种压电驻极体基体的MEMS工艺制备方法

摘要

本发明公开了一种压电驻极体基体的MEMS工艺制备方法。本发明采用了标准MEMS微加工工艺，利用第一光刻板形成高深宽比的孔槽，在孔槽中填充功能性压电驻极体基体材料，然后利用第二光刻板形成开放窗口，最后释放开放窗口下面的压电驻极体基体，实现了压电驻极体孔洞形貌的一致性和可控性，最小可控尺寸在1μm量级，并且可高效率制备在膜厚方向上的多层压电驻极体基体，层数≥50。本发明通过光刻板图的设计达到自由灵活调控孔洞的几何尺寸和压电驻极体基体的层数和几何尺寸的目的。

主权项

一种压电驻极体基体的MEMS工艺制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：1)提供基板；2)在基板上旋涂光刻胶，软烤光刻胶；3)在第一光刻板上设计所需压电驻极体基体的孔洞的图形，通过紫外线曝光，将第一光刻板的图形转移到光刻胶上，在光刻胶上形成所需孔洞的图形；4)以光刻胶为掩膜，采用深度反应等离子技术刻蚀基板，在基板内形成高深宽比的孔槽，作为压电驻极体基体的基板；5)去除基板上方残余的光刻胶，随后通过化学气相沉积或真空注塑方法，在高深宽比的孔槽中填充功能性压电驻极体基体材料；6)在填充有功能性压电驻极体基体材料的基板的上表面和下表面，分别蒸镀或溅射金属掩膜层；7)在两个表面的金属掩膜层上分别旋涂光刻胶，软烤光刻胶；8)采用具有开放窗口图形的第二光刻板，分别对两个表面上的光刻胶先后进行曝光，在光刻胶上形成开放窗口的图形；9)利用湿法腐蚀金属掩膜层，而后利用氧气等离子刻蚀基板上面的功能性压电驻极体基体，形成开放窗口；10)利用湿法或干法刻蚀开放窗口下面的基板，从而释放在开放窗口下面的压电驻极体基体。