[发明专利]具有量子效应的磁隧道结及包括其的自旋二极管和晶体管有效
| 申请号： | 201510382329.3 | 申请日： | 2015-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN106328805B | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 温振超;陶丙山;袁忠辉;姜丽仙;韩秀峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人： | 黄小临;冯玉清 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有量子效应的磁隧道结及包括其的自旋二极管和晶体管。一种磁性隧道结包括：第一参考层，由磁性导电材料形成并且具有固定的磁化方向；第一势垒层，设置在所述第一参考层上并且由绝缘材料形成；自由层，设置在所述第一势垒层上，由磁性导电材料形成并且其磁化方向可以响应于外磁场而自由变化；以及第二势垒层，设置在所述自由层上并且由绝缘材料形成，其中，所述第一势垒层和所述第二势垒层的绝缘材料均具有类尖晶石晶体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 量子 效应 隧道 包括 自旋 二极管 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种磁性隧道结，包括：第一参考层，由磁性导电材料形成并且具有固定的磁化方向；第一势垒层，设置在所述第一参考层上并且由绝缘材料形成；自由层，设置在所述第一势垒层上，由磁性导电材料形成并且其磁化方向可以响应于外磁场而自由变化；以及第二势垒层，设置在所述自由层上并且由绝缘材料形成，其中，所述第一势垒层和所述第二势垒层的绝缘材料均具有类尖晶石晶体结构。
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