[发明专利]纳米线场效应晶体管及其形成方法在审
| 申请号： | 201510381726.9 | 申请日： | 2015-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN106328520A | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/775 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种纳米线场效应晶体管及其形成方法，其中所述纳米线场效应晶体管形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有若干悬空的纳米线；形成包围所述纳米线伪栅极结构；形成覆盖所述半导体衬底和伪栅极结构的介质层，所述介质层的表面与伪栅极结构的表面齐平；去除所述伪栅极结构，形成暴露出纳米线表面的凹槽；回刻蚀去除位于凹槽内的部分厚度的纳米线；在所述去除部分厚度后的纳米线表面上外延生长形成半导体沟道层；在所述半导体沟道层的表面上形成高K栅介质层；在所述高K栅介质层上形成金属栅电极，所述金属栅电极包围纳米线。本发明的方法形成的纳米线场效应晶体管的阈值电压波动减小。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有若干悬空的纳米线；形成包围所述纳米线伪栅极结构；形成覆盖所述半导体衬底和伪栅极结构的介质层，所述介质层的表面与伪栅极结构的表面齐平；去除所述伪栅极结构，形成暴露出纳米线表面的凹槽；回刻蚀去除位于凹槽内的部分厚度的纳米线；在所述去除部分厚度后的纳米线表面上外延生长形成半导体沟道层；在所述半导体沟道层的表面上形成高K栅介质层；在所述高K栅介质层上形成金属栅电极，所述金属栅电极包围纳米线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
