[发明专利]一种反激变换器漏感吸收及回馈电路在审
申请号: | 201510381336.1 | 申请日: | 2015-07-02 |
公开(公告)号: | CN104993682A | 公开(公告)日: | 2015-10-21 |
发明(设计)人: | 戴二虎;黄桃 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32;H02M3/335 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 李明光 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种反激变压器漏感能量吸收及回馈电路,属于集成电路技术领域。本发明电路将漏感能量吸收和回馈电路结合在一起,由钳位电容C1和钳位开关管S2构成,结构简单可靠,控制方便。相对于传统的RCD吸收方式,电容C1的作用只是将漏感能量吸收起来,在开关管导通时,将漏感能量释放到主电路中,实现了漏感能量的吸收与回馈,有效的提高了反激变换器的效率。同时由于开关管S2与S1的导通时序相同,大大简化了对于S2时序驱动设计的要求,这种控制方式也适用于任何模式的反激变换电路。本电路结构在小功率的反激变换器中很有优势。 | ||
搜索关键词: | 一种 激变 换器漏感 吸收 回馈 电路 | ||
【主权项】:
一种反激变换器漏感吸收及回馈电路,包括反激电路主晶体管S1、钳位电容C1、反激变压器T1、次级整流二极管D1、滤波电容Co及负载电阻R1,其特征在于,还包括N沟道MOSFET钳位管S2,所述钳位管S2的源极与主晶体管S1的漏极相连,钳位管S2的漏极与钳位电容C1的正端相连,钳位电容C1的负端与电源的正极相连,主晶体管S1的源极与电源的负极连接;所述反激变压器T1原边的同名端与电源的正极相连,其原边的异名端与主开关晶体管S1的漏极连接,其副边的异名端与输出整流二极管D1的输入端相连,二极管D1的输出端接依次并联加载输出滤波电容Co和负载电阻R1。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
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