[发明专利]蚀刻装置及蚀刻方法

摘要

本发明提供能够提高蚀刻速率的蚀刻装置及蚀刻方法。在腔室(100)内规定的处理空间(V)内生成等离子体，并且，对电极(导电性的分隔构件(3))反复施加包含正电压的脉冲电压，所述电极通过绝缘板(5)(电气绝缘构件)支撑在腔室(100)内，且配置于处理空间(V)。由此，等离子体中的离子被加速，并从处理空间(V)的开放部位开始向作为处理对象的基板(S)飞翔。结果，因为被加速的离子与基板(S)的主面(S1)发生碰撞，所以蚀刻速率提高。

主权项

一种蚀刻装置，用于对基材的主面实施处理，其特征在于，具有：腔室；分隔构件，设置在所述腔室内，用于规定一侧开放的处理空间；气体供给部，向所述处理空间供给气体；等离子体生成部，在所述处理空间内生成等离子体；高频电力供给部，向所述等离子体生成部供给高频电力；保持机构，以将所述主面配置在所述处理空间的所述一侧的方式来保持所述基材；电极，通过电气绝缘构件支撑在所述腔室内，且配置于所述处理空间；脉冲电压供给部，向所述电极反复施加包含正电压的脉冲电压，所述等离子体生成部设置在所述处理空间内，所述电极的至少一部分与所述等离子体生成部相比，配置在离所述主面近的位置，所述电极具有第一部分，所述第一部分覆盖所述分隔构件的所述一侧的端部。