[发明专利]具有栅极结构的鳍状半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201510376711.3 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN106328705B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 刘恩铨;林昭宏;童宇诚 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有栅极结构的鳍状半导体元件及其制作方法。该具有栅极结构的半导体元件的制作方法，包括形成一基底，包括至少两鳍状结构，突出于基底的上表面，基底具有一第一凹槽与位于第一凹槽下的一第二凹槽，且第一凹槽与第二凹槽位于鳍状结构之间，其中第一凹槽的宽度大于第二凹槽的宽度，且第一凹槽与第二凹槽形成一台阶结构；在第二凹槽内形成一绝缘结构；以及，在绝缘结构上形成一栅极结构，其中栅极结构与绝缘结构填满第一凹槽与第二凹槽。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 结构 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有栅极结构的半导体元件的制作方法，包括：提供一基底与一心轴(mandrel)层，其中所述基底、所述硬掩模层与所述心轴层依序堆叠；在所述心轴层内形成一切割沟槽，使所述切割沟槽贯穿所述心轴层并暴露出所述基底；图案化所述心轴层，以形成多个心轴图案，且通过所述切割沟槽移除所述基底的一部分，以于所述基底上形成一第一凹槽；在所述心轴图案的侧壁与所述第一凹槽的侧壁上形成一间隙壁；移除所述心轴层；以所述间隙壁为一掩模进行一蚀刻制作工艺，以于第一凹槽下形成一第二凹槽，其中所述第一凹槽与所述第二凹槽形成一台阶结构；移除所述间隙壁；在所述第二凹槽内形成一第一绝缘结构；以及在所述第一绝缘结构上形成一栅极结构。
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