[发明专利]一种量化测定氧化膜微观缺陷的方法与仪器有效
申请号: | 201510376679.9 | 申请日: | 2015-07-01 |
公开(公告)号: | CN104977336B | 公开(公告)日: | 2017-10-24 |
发明(设计)人: | 龙冲生;韦天国;陈洪生;高雯;赵毅;肖红星;吴正武 | 申请(专利权)人: | 中国核动力研究设计院 |
主分类号: | G01N27/26 | 分类号: | G01N27/26;G01N27/416 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙)51220 | 代理人: | 王记明 |
地址: | 610000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种量化测定氧化膜微观缺陷的方法,通过测定氧化膜的纯电子传导电流或电阻和离子向氧化膜中迁移形成的电流或阻抗,由离子迁移电流或阻抗与纯电子传导电流或电阻的差异及其数值,来量化表征氧化膜中的微观缺陷。本发明的有益效果是本发明的方法能客观量化表征氧化膜微观缺陷的情况,如缺陷尺度、分布密度等,而不只是定性地了解,能反映出微观缺陷在宏观尺度(10mm)上的分布情况;本方法不需要制样,可在样品上直接测量,方便快捷,避免了制样过程造成的影响及人为因素的影响。 | ||
搜索关键词: | 一种 量化 测定 氧化 微观 缺陷 方法 仪器 | ||
【主权项】:
一种量化测定氧化膜微观缺陷的方法,其特征在于,通过测定氧化膜的纯电子传导电流或电阻和离子向氧化膜中迁移形成的电流或阻抗,由离子迁移电流或阻抗与纯电子传导电流或电阻的差异及其数值,来量化表征氧化膜中的微观缺陷;所述的氧化膜的纯电子传导电流或电阻和离子向氧化膜中迁移形成的电流或阻抗的测定方法为:A1)连接测量电路:将氧化膜样品的氧化膜浸入电极液,氧化膜样品的金属基体连接直流电源的一极,另一个与电极液接触的电极连接直流电源的另一极,从而由电极、电极液、氧化膜样品形成电极回路;A2)测量电极回路的电流值和电压值,得到纯电子传导的电流电压关系,进而得到纯电子传导电阻;得到离子迁移的电流电压关系,进而得到离子向氧化膜中迁移阻抗;还包括一个将离子迁移的电流电压关系和纯电子传导的电流电压关系转换为离子迁移的电流密度对电场强度的关系和纯电子传导的电流密度对电场强度的关系的步骤,所述的电流密度为电流与电极液接触的氧化膜面积之比,电场强度为电压与氧化膜厚度之比,通过比较离子迁移的电流密度对电场强度的关系与纯电子传导的电流密度对电场强度的关系反映微观缺陷的多少。
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