[发明专利]一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺有效
| 申请号： | 201510375495.0 | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105039984B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 黎威志;吴志明;赵晖;谢骞;蒋亚东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23F1/02 | 分类号： | C23F1/02 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司51230 | 代理人： | 杨保刚,晏辉 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺，步骤如下①采用化学或物理气相沉积工艺在基片上沉积待刻蚀NiCr薄膜；②采用化学或物理气相沉积工艺在待刻蚀的NiCr薄膜上沉积一层不被NiCr刻蚀液刻蚀的保护膜；③在保护膜上涂覆光刻胶，刻蚀光刻胶得到需要的光刻胶掩版；④采用干法刻蚀工艺刻蚀保护膜上获得与光刻胶掩版一致的图形；⑤刻蚀NiCr薄膜获得所需的NiCr图形；⑥依次去除光刻胶和保护膜，得到最终所需的NiCr图形。本发明中，保护膜与NiCr薄膜形成紧密的接触，从而能防止产生过刻蚀，刻蚀的图形边缘清晰无毛边，均匀性良好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进 nicr 合金 湿法 刻蚀 工艺 | ||
【主权项】：
一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺，其特征在于，步骤如下：①采用化学或物理气相沉积工艺在基片上沉积待刻蚀NiCr薄膜；②采用化学或物理气相沉积工艺在待刻蚀的NiCr薄膜上沉积一层不被NiCr刻蚀液刻蚀的保护膜；所述保护膜为氮化硅薄膜，氮化硅薄膜厚度为20‑100nm；③在保护膜上涂覆光刻胶，刻蚀光刻胶得到需要的光刻胶掩版；④采用干法刻蚀工艺刻蚀保护膜上获得与光刻胶掩版一致的图形；⑤刻蚀NiCr薄膜获得所需的NiCr图形；⑥依次去除光刻胶和保护膜，得到最终所需的NiCr图形。
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