[发明专利]一种金属薄膜溅射的PVD工艺有效
| 申请号： | 201510375208.6 | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN106319460B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 高建峰;唐兆云;殷华湘;李俊峰;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;江怀勤 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种金属薄膜溅射的PVD设备及工艺，所述设备包括：与射频电源相连接的靶材、基座及侧置线圈，所述靶材以可自转的形式安装在溅射腔室的顶部，所述基座位于溅射腔室的底部，所述侧置线圈位于溅射腔室的侧壁，靶材与侧置线圈施加射频电源共同作用于惰性气体，产生等离子体。由于该设备增加了侧置线圈及与其相连接的射频电源，并通过调节惰性气体压力，提高了等离子体密度，结合PVD溅射的其他工艺参数，能形成电学性能良好，并且在沟槽表面覆盖效果良好的薄膜，可延续溅射沉积工艺应用到22纳米及以下技术的后栅工艺中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 薄膜 溅射 pvd 设备 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种金属薄膜溅射的PVD工艺，其特征在于，施加给靶材与侧置线圈的射频功率和/或射频频率不同，采用金属薄膜溅射的PVD设备，所述PVD设备包括：与射频电源相连接的靶材、基座及侧置线圈，所述靶材以可自转的形式安装在溅射腔室的顶部，所述基座位于溅射腔室的底部，所述侧置线圈位于溅射腔室的侧壁，靶材与侧置线圈施加射频电源共同作用于惰性气体，产生等离子体，所述侧置线圈的材质与溅射靶材的材质相同；将具有沟槽结构的衬底进行TiAl合金的PVD溅射工艺，其中：溅射腔室压力范围为10～80mTorr；惰性气体流量范围为30～100sccm；衬底温度范围为16～26℃；靶材表面射频功率范围为500W～1000W，频率为13.56MHz；基座偏置射频功率范围为2～100W，频率为13.56MHz；侧置线圈射频功率范围为10～200W，频率为2MHz。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510375208.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
