[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201510373552.1 | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN106328694B | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面具有鳍部和隔离层，所述隔离层位于所述鳍部的部分侧壁表面，所述隔离层的表面低于所述鳍部的顶部表面，所述鳍部的侧壁和顶部表面具有界面层；采用干法刻蚀工艺去除所述界面层，所述干法刻蚀工艺的气体包括含氟气体；在去除所述界面层之后，对所述鳍部的侧壁和顶部表面进行表面处理工艺，所述表面处理的气体包括含氮气体。所述半导体结构的形成方法能够去除鳍部表面残留的杂质，使所形成的鳍式场效应晶体管性能改善。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有鳍部和隔离层，所述隔离层位于所述鳍部的部分侧壁表面，所述隔离层的表面低于所述鳍部的顶部表面，所述鳍部的侧壁和顶部表面具有界面层；采用干法刻蚀工艺去除所述界面层，所述干法刻蚀工艺的气体包括含氟气体；在去除所述界面层之后，对所述鳍部的侧壁和顶部表面进行表面处理工艺，所述表面处理的气体包括含氮气体。
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