[发明专利]超势垒二极管的加工方法和超势垒二极管有效
| 申请号： | 201510363885.6 | 申请日： | 2015-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN106298969B | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 李理;黄宇萍 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种超势垒二极管的加工方法和超势垒二极管，所述加工方法包括：在N型衬底上依次形成N型外延层、场氧化层、多晶硅层和绝缘层；在绝缘层上形成图形化掩膜层后，对绝缘层进行各向同性刻蚀，以形成绝缘层掩膜结构；以形成的绝缘层掩膜结构为掩膜，依次对多晶硅层和场氧化层进行各向异性刻蚀，以暴露出用于制作体区的外延层的指定区域；在外延层的指定区域形成P型体区；在经过刻蚀的场化层的边缘下方的外延层中形成P‑型区域，在P‑型区域的上方对应的多晶硅层形成P型多晶硅结构；在形成P型多晶硅结构的P型体区中，形成与P‑型区域分离的N+型区域和电极。通过本发明的技术方案，提升了超势垒二极管的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 超势垒 二极管 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超势垒二极管的加工方法，其特征在于，包括：在N型衬底上依次形成N型外延层、场氧化层、多晶硅层和绝缘层；在所述绝缘层上形成图形化掩膜层后，对所述绝缘层进行各向同性刻蚀，以形成绝缘层掩膜结构；以形成的所述绝缘层掩膜结构为掩膜，依次对所述多晶硅层和所述场氧化层进行各向异性刻蚀，以暴露出用于制作体区的所述外延层的指定区域；在所述外延层的指定区域形成P型体区；在经过刻蚀的所述场氧化层的边缘下方的所述外延层中形成P‑型区域，同时，在所述P‑型区域的上方对应的所述多晶硅层形成P型多晶硅结构；在形成所述P型多晶硅结构的所述P型体区中，形成与所述P‑型区域分离的N+型区域和电极，以完成所述超势垒二极管的制作。
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