[发明专利]一种掺杂优化的超低衰减单模光纤有效
| 申请号： | 201510359450.4 | 申请日： | 2015-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN104898200B | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 张磊;龙胜亚;朱继红;吴俊;王瑞春 | 申请（专利权）人： | 长飞光纤光缆股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/028 | 分类号： | G02B6/028;G02B6/036 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 | 代理人： | 胡建平 |
| 地址： | 430073 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种掺杂优化的超低衰减单模光纤，包括有芯层，芯层外从内向外依次包覆内包层，下陷内包层，辅助外包层和外包层，其特征在于芯层中氟的含量小于或等于0.5wt％，锗的相对折射率贡献量小于或等于0.12％，Δn1小于或等于0.12％，内包层中氟的含量为0.5‑1.5wt％，Δn2小于或等于‑0.14％，下陷内包层中氟的含量为1‑3wt％，Δn3小于或等于‑0.25％，辅助外包层中氟的含量为0.5‑2wt，Δn4小于或等于‑0.14％，所述的外包层为纯二氧化硅玻璃层和/或金属掺杂的二氧化硅玻璃层。本发明降低了芯层粘度，使其能与内薄层和下陷包层更好的匹配，并结合金属掺杂的匹配粘度外包层，整体降低光纤虚拟温度，同时通过下陷包层设计，抑制基模泄露，从而实现超低衰减性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 优化 衰减 单模 光纤 | ||
【主权项】：
一种掺杂优化的超低衰减单模光纤，包括有芯层，芯层外从内向外依次包覆内包层，下陷内包层，辅助外包层和外包层，其特征在于所述的芯层中氟的含量小于或等于0.5wt％，锗的相对折射率贡献量小于或等于0.12％，芯层的相对折射率Δn1小于或等于0.12％，所述的内包层中氟的含量为0.5‑1.5wt％，内包层的相对折射率Δn2小于或等于‑0.14％，所述的下陷内包层中氟的含量为1‑3wt％，下陷内包层的相对折射率Δn3小于或等于‑0.25％，所述的辅助外包层中氟的含量为0.5‑2wt，辅助外包层相对折射率Δn4小于或等于‑0.14％，所述的外包层为金属掺杂的二氧化硅玻璃层；所述的内包层半径r2为10～14μm，所述的下陷内包层半径r3为12.5～17μm，所述的辅助外包层半径r4为40～50μm；所述的外包层直径为125μm。
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