[发明专利]阻变存储装置的制造方法有效
| 申请号： | 201510358821.7 | 申请日： | 2015-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN105826465B | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 金俊官;李泳昊;蔡洙振 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种阻变存储装置的制造方法包括：在形成有底部结构的半导体衬底上形成非晶相变材料层，以及通过低温等离子体处理过程对非晶相变材料层执行结晶。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造阻变存储装置的方法，所述方法包括：在半导体衬底之上形成非晶相变材料层；以及通过低温等离子体处理过程来执行所述非晶相变材料层的结晶，其中所述低温等离子体处理过程在130℃至300℃的温度执行。
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