[发明专利]一种用于真空磁控溅射铂铑合金靶材及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510352215.4 申请日: 2015-06-24
公开(公告)号: CN104894525B 公开(公告)日: 2017-07-04
发明(设计)人: 刘革;赵宏达;于志凯;王伟;柳泉 申请(专利权)人: 沈阳东创贵金属材料有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C22C5/04
代理公司: 沈阳东大知识产权代理有限公司21109 代理人: 梁焱
地址: 110015 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明提供一种用于真空磁控溅射铂铑合金靶材及其制备方法,该合金靶材按照重量百分比组成为Pt 25.0~49.0%,Rh 50.0~74.0%,Ir 0.1~1.0%,Cr 0.1~0.5%。制备方法为(1)按以上重量百分比的化学成分准备Pt、Rh、Ir和Cr原材料,先将Pt加热至熔化,再将Rh、Ir和Cr依次加入搅拌直至所有金属熔化;(2)将混合金属进行精炼;(3)将熔体浇注到纯铜模具中,水冷;(4)将合金铸坯依次经过热锻、轧制、退火、剪切和校平。本发明的铂铑合金靶材应用于真空磁控溅射镀膜技术可取代传统高污染的水镀铑,获得亮度值L不低于88.0、硬度值高、抗氧化性和耐蚀性优异的膜层。
搜索关键词: 一种 用于 真空 磁控溅射 合金 及其 制备 方法
【主权项】:
一种用于真空磁控溅射铂铑合金靶材,其特征在于该合金靶材按照重量百分比组成为:Pt 25.0~49.0%,Rh 50.0~74.0%,Ir 0.1~1.0%,Cr 0.1~0.5%。
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