[发明专利]基于多模干涉耦合器的InP基模分复用/解复用器结构

摘要

本发明涉及一种基于多模干涉耦合器的InP基模分复用/解复用器结构，该结构主要包括三个部分基于多模干涉耦合器的模式转换分离结构、π/2相移结构和基于多模干涉耦合器的3dB耦合器结构。在所述的π/2相移结构中，通过调谐波导芯层厚度，使在波导中传输模式的相移发生变化，当波导的长度为某一特定值时，其相移变化达到π/2。该模式复用/解复用器结构具有结构紧凑、器件尺寸小、信道带宽较大、插入损耗较低、通道串扰较低的优势，且其工艺制作简单，制作容差较大，非常适合于与半导体激光器、调制器、放大器、探测器等器件的单片集成，是研究基于模分复用技术的单片集成少模光通信收发模块的关键器件。

主权项

一种基于多模干涉耦合器的InP基模分复用/解复用器结构，包括：一基于多模干涉耦合器的模式转换分离结构(1)；一基于多模干涉耦合器的3dB耦合器结构(2)；一π/2相移结构(3)，其输入端与基于多模干涉耦合器的模式转换分离结构(1)的输出端连接，其输出端与基于多模干涉耦合器的3dB耦合器结构(2 )的输入端连接；相移结构通过改变波导芯层厚度即通过改变波导结构的有效折射率来实现。