[发明专利]以环境氧的局部控制对半导体晶片进行激光退火的方法

摘要

本发明公开了以环境氧的局部控制对半导体晶片进行激光退火的方法。具体地，公开了使用混合气体来局部控制环境氧气以降低在激光退火期间的氧化量的半导体晶片激光退火。混合气体包含氢气与惰性缓冲气体，例如氮气。在半导体晶片的表面上的退火位置附近的氧气与混合气体的局部加热产生了在其中氧气与氢气发生燃烧而产生水蒸气的局部区域。该燃烧反应降低在局部区域内的氧气浓度，由此局部降低环境氧气的量，这进而在退火工艺期间降低半导体晶片的表面的氧化速率。

主权项

对具有表面的半导体晶片进行激光退火的方法，包含：在操作室的内部设置该半导体晶片；将该操作室的内部抽真空，以使该操作室的内部包含位于初始O₂浓度的O₂；在该操作室中引入混合气体，该混合气体包含H₂与缓冲气体；以及引导激光束通过该操作室的内部以入射到该半导体晶片的该表面上的退火位置，由此退火该半导体晶片的该表面并且还导致该退火位置周围的局部区域内的该O₂与该混合气体中的H₂的局部加热，且该局部区域内的该O₂与该H₂发生燃烧而产生H₂O蒸气，由此与该初始O₂浓度相比降低了该局部区域内的O₂浓度。