[发明专利]具有线性过温保护电路的DC‑DC转换器

摘要

本发明涉及一种具有线性过温保护电路的DC‑DC转换器，包括温度三极管，用于根据所采集的DC‑DC转换器的温度生成结电压信号；线性过温保护电路，用于根据结电压信号与第一基准电压信号形成误差放大信号；钳位电路，用于限制误差放大信号的最大值与最小值以使该误差放大信号保持在固定电压范围，并形成温度调整信号；PWM信号产生电路，用于根据温度调整信号与斜坡信号形成PWM脉冲信号；驱动电路，用于根据PWM脉冲信号生成驱动信号控制DC‑DC升压电路部分的输出功率。本发明实施例可以线性调整DC‑DC转换器的输出功率以保持内部温度恒定，可以避免温度过高对转换器以及内部芯片的影响，以及现有技术中频繁开关芯片带来的噪声，使DC‑DC转换器平稳工作。

主权项

一种具有线性过温保护电路的DC‑DC转换器，其特征在于，包括DC‑DC升压电路部分与反馈电路部分，其中，所述反馈电路部分包括：线性过温保护电路、钳位电路、PWM信号产生电路、驱动电路和温度三极管；所述温度三极管，用于根据所采集的DC‑DC转换器的温度生成结电压信号；所述线性过温保护电路，用于根据所述结电压信号与第一基准电压信号形成误差放大信号；所述钳位电路，用于限制所述误差放大信号的最大值与最小值以使该误差放大信号保持在固定电压范围，并形成温度调整信号；所述PWM信号产生电路，用于根据所述温度调整信号与斜坡信号形成PWM脉冲信号；所述驱动电路，用于根据所述PWM脉冲信号生成驱动信号控制所述DC‑DC升压电路部分的输出功率；所述线性过温保护电路包括线性跨导放大子电路；所述线性跨导放大子电路的正相输入端连接所述结电压信号，反相输入端连接第一基准电压信号，用于根据所述结电压信号与所述第一基准电压信号输出与温度保持线性关系的温度偏差信号；所述线性跨导放大子电路包括：第一PMOS晶体管～第七PMOS晶体管、第一NMOS晶体管～第四NMOS晶体管、第一电阻～第四电阻、第一电容和第一电流源；其中，第一PMOS晶体管栅极和漏极与第二PMOS晶体管栅极连接，源极连接电源，漏极连接第一电流源；第二PMOS晶体管源极连接电源，漏极与第五PMOS晶体管源极连接；第五PMOS晶体管栅极连接第一基准电压信号，漏极与第一NMOS晶体管的栅极和漏极连接；并且第五PMOS晶体管与第六PMOS晶体管共用衬底电压信号；第一NMOS晶体管栅极和漏极与第二NMOS晶体管栅极连接，源极连接公共端电压；第三PMOS晶体管栅极与第一PMOS晶体管栅极连接，源极连接电源，漏极与第六PMOS晶体管源极连接；第六PMOS晶体管栅极连接所述结电压信号，漏极分别与第二NMOS晶体管的漏极、第三NMOS晶体管漏极和栅极连接；第二NMOS晶体管的源极连接公共端电压；第三NMOS晶体管栅极和漏极连接第四NMOS晶体管栅极，源极连接公共端电压；第四PMOS晶体管栅极与第一PMOS晶体管栅极连接，源极连接电源，漏极与第七PMOS晶体管源极和衬底连接；第七PMOS晶体管栅极连接第一基准电压信号，漏极连接公共端电压第二电阻、第三电阻和第四电阻依次串联，并且第二电阻的一端连接第三基准电压信号，第四电阻的一端连接公共端电压；第四NMOS晶体管漏极连接至第二电阻与第三电阻的公共点，源极连接公共端电压；在第四电阻的两端并联所述第一电容；第一电阻分别连接第二PMOS晶体管源极与第五PMOS晶体管漏极的公共点、第三PMOS晶体管源极与第六PMOS晶体管漏极的公共点。