[发明专利]一种利用湿法蚀刻进行衬底剥离的发光二极管制备方法有效
| 申请号： | 201510343304.2 | 申请日： | 2015-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN105047769B | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 李政鸿;徐志波;林兓兓;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22;H01L21/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种利用湿法蚀刻进行衬底剥离的发光二极管制备方法，先利用二次成长方式，制作并插入一层氮化铝层，藉由该层终止因衬底与后续外延层的晶格失配所导致缺陷的延伸；同时，二次成长中PVD法制备的氮化铝层因低温生长的多晶格特性，利用简单湿法方式即可腐蚀去除，以达到第一衬底简单、快速剥离的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 湿法 蚀刻 进行 衬底 剥离 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种利用湿法蚀刻进行衬底剥离的发光二极管制备方法，包括以下步骤：提供第一衬底；在所述第一衬底表面制备外延片，所述外延片结构至少包括第一氮化镓层、第二氮化镓层、N型层、量子阱层及P型层；制备N型和P型电极，将包含N型和P型电极的外延片键合于第二衬底上；后利用湿法蚀刻剥离第一衬底形成倒装发光二极管结构；其特征在于： 所述第一氮化镓层与第二氮化镓层之间还包括一物理气相沉积法沉积的氮化铝层；所述湿法蚀刻前还包括在第一衬底非外延层表面形成沟槽的步骤，所述沟槽的底部位于所述氮化铝层与第一氮化镓层接触表面或氮化铝层内部，以方便蚀刻溶液腐蚀氮化铝层，实现第一衬底的剥离。
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