[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在其上形成有伪栅极结构；在半导体衬底上形成层间介电层，以填充伪栅极结构之间的间隙；去除伪栅极结构，形成沟槽；实施第一预处理，以改善沟槽的侧壁和底部表面状况；在沟槽底部形成界面层，并实施第二预处理，以改善界面层的表面特性；在沟槽的侧壁和界面层的顶部形成高k介电层；在高k介电层上形成覆盖层，其中，形成覆盖层之前，还包括实施第三预处理的步骤，以提升高k介电层的质量，形成覆盖层之后，还包括实施第四预处理的步骤，将氧驱入高k介电层中以减少氧空位缺陷。根据本发明，可以明显改善形成的界面层和高k介电层的质量，提升器件的可靠性。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有包括自下而上层叠的牺牲栅介电层和牺牲栅电极层的伪栅极结构；在所述半导体衬底上形成层间介电层，以填充所述伪栅极结构之间的间隙；去除所述伪栅极结构，形成沟槽；实施第一预处理，以改善所述沟槽的侧壁和底部表面状况；在所述沟槽底部形成界面层，并实施第二预处理，所述第二预处理为在H₂/H₂O/OH氛围下进行的等离子体处理，以改善所述界面层的表面特性；在所述沟槽的侧壁和所述界面层的顶部形成高k介电层；在所述高k介电层上形成覆盖层。