[发明专利]栅极导电体及其制造方法有效
| 申请号： | 201510335363.5 | 申请日： | 2015-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN106257621B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 倪志荣;王天佑;赖树伟 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L29/49 |
| 代理公司： | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭晓宇<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明提供了一种栅极导电体的制造方法，此方法包括在真空环境中沉积导电材料于半导体基板上，以形成包括钨的导电材料层于半导体基板上。此方法亦包括在真空环境中沉积包括钛的阻障材料层于导电材料层上。本发明亦提供了一种栅极导电体。本发明提供的栅极导电体及其制造方法，可在不增加工艺复杂度及生产成本的前提下，有效地改善或避免因发丝状(柱状)的钨突出部所导致的缺陷，进而有助于存储器装置的微小化及提升产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 导电 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种栅极导电体的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供一半导体基板；/n形成一第一金属层于所述半导体基板上，所述第一金属层包括一第一金属；/n形成一第一金属氮化物层于所述第一金属层上；/n形成一导电材料层于所述第一金属氮化物层上，其中形成所述导电材料层包括在一真空环境中沉积一导电材料于所述半导体基板上，其中所述导电材料包括钨；以及/n形成一阻障材料层于所述导电材料层上，其中形成所述阻障材料层包括在所述真空环境中沉积一阻障材料于所述导电材料层上，其中所述阻障材料包括钛。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
