[发明专利]半导体存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201510334501.8 | 申请日： | 2015-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN106205712B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 周炳仁;金昞宁 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/34;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体存储器件及其操作方法。半导体存储器件，包括：第一层级和第二层级,第一层级和第二层级中的每一个包括多个存储块；第一读写电路和第二读写电路，适用于感测和临时储存被分别编程至第一层级和第二层级的数据；以及控制逻辑，适用于控制第一读写电路和第二读写电路以分别对第一层级和第二层级执行读取操作，其中所述控制逻辑根据第一层级和第二层级处于LSB编程状态还是MSB编程状态，来控制第一读写电路和第二读写电路以将临时储存的数据设置为设置数据、来执行新的读取操作以储存新数据、或者来保持临时储存的数据。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：第一层级和第二层级,第一层级和第二层级中的每一个包括多个存储块；第一读写电路和第二读写电路，适用于感测和临时储存被分别编程至所述第一层级和所述第二层级的数据；以及控制逻辑，适用于控制所述第一读写电路和所述第二读写电路以分别对所述第一层级和所述第二层级执行读取操作，其中所述控制逻辑根据所述第一层级和第二层级处于LSB编程状态还是MSB编程状态来控制所述第一读写电路和所述第二读写电路以将临时储存的数据设置为设置数据、来执行新的读取操作以储存新数据、或者来保持所述临时储存的数据。
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