[发明专利]面向国产军用IGBT模块的可靠性评估方法

摘要

本发明涉及一种面向国产军用绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块的可靠性评估方法。通过获取芯片结温、封装温度、温变幅值和年温度循环次数，匹配与国产军用IGBT对应的芯片温度应力系数、封装温度应力系数、封装温变应力系数，并由此获取模块的失效率，以获得其可靠性评估结果。该方法，由于所用参数均通过对国产军用IGBT生产厂家及用户走访调研，采用国内产品的现场信息和实验信息通过数理统计所得，因而是有针对性的面向国产军用IGBT模块的评估方法，能准确获取国产军用IGBT模块的失效率，完全体现国产军用IGBT模块的可靠性水平。

主权项

1.一种面向国产军用IGBT模块的可靠性评估方法，其特征在于，包括步骤：分别获取芯片结温和封装温度；获取温变幅值和年温度循环次数；根据所述芯片结温匹配与所述国产军用IGBT对应的芯片温度应力系数；根据所述封装温度匹配与所述国产军用IGBT对应的封装温度应力系数；根据所述温变幅值匹配与所述国产军用IGBT对应的封装温变应力系数；根据所述芯片温度应力系数、所述封装温度应力系数、所述封装温变应力系数和所述年温度循环次数获取模块失效率，以获得面向国产军用IGBT模块的可靠性评估结果；预先将所述芯片结温与所述芯片温度应力系数对照表或对应曲线、所述封装温度与所述封装温度应力系数对照表或对应曲线、所述温变幅值与所述封装温变应力系数对照表或对应曲线存储在数据库中；其中，所述芯片温度与所述芯片温度应力系数、所述封装温度与所述封装温度应力系数以及所述温变幅值与所述封装温变应力系数间对应表或对应曲线的数据均为通过走访调研国内军用绝缘栅双极晶体管模块生产厂家和用户，搜集产品现场信息和试验信息所得；所述根据所述芯片温度应力系数、所述封装温度应力系数、所述封装温变应力系数和所述年温度循环次数获取模块失效率的步骤，包括：根据所述芯片温度应力系数获取芯片失效率；根据所述封装温度应力系数、所述封装温变应力系数和所述年温度循环次数获取封装失效率；根据所述芯片失效率和所述封装失效率获取所述模块失效率。