[发明专利]增强二维半导体晶体材料光吸收效率的探测器及制作方法

摘要

本发明涉及增强二维半导体晶体材料光吸收效率的探测器及制作方法，探测器包括柔性衬底层(1)，柔性衬底层(1)上自下而上依次生长金属电极层(2)、介质层(3)、二维半导体晶体材料层(4)及金属纳米颗粒层(5)，所述的二维半导体晶体材料层(4)的两端分别设置第一金属电极(6)和第二金属电极(7)；金属电极层(2)为栅极，所述的第一金属电极(6)为源极，所述的第二金属电极(7)为漏极。本发明解决了二维半导体晶体材料对光吸收效率低下的问题，同时保持了二维半导体晶体材料的电学可调特性，具有超高的光吸收率和量子效率。同时本发明采用柔性衬底，本发明形状可弯曲伸展，可应用于柔性光电器件，具有广泛应用前景。

主权项

增强二维半导体晶体材料光吸收效率的探测器，其特征在于，该探测器包括柔性衬底层(1)，所述的柔性衬底层(1)上自下而上依次生长金属电极层(2)、介质层(3)、二维半导体晶体材料层(4)及金属纳米颗粒层(5)，所述的二维半导体晶体材料层(4)的两端分别设置第一金属电极(6)和第二金属电极(7)；所述的金属电极层(2)为栅极，所述的第一金属电极(6)为源极，所述的第二金属电极(7)为漏极。