[发明专利]硅岛膜结构的MEMS压力传感器及其制作方法有效
| 申请号： | 201510317403.3 | 申请日： | 2015-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN104864988B | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 杜少博;何洪涛;王伟忠;杨拥军 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;G01L9/06 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 黄辉本 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅岛膜结构的MEMS压力传感器及其制作方法，涉及压力传感器技术领域。本发明采用单片SOI材料制备压力传感器，芯片尺寸可以做到毫米量级，与相同规格的硅杯型压力传感器相比，晶圆上的管芯数有一个数量级上的提高；采用硅岛膜结构的传感模式，测量灵敏度提高；制备工艺简单，传感器成本大幅下降；利用SOI材料的第二硅层厚度误差小的特点制备传感膜，测量灵敏度、精度均有提高；双掩膜刻蚀方式避免了因一次刻蚀后形成大台阶而影响后续光刻工艺的光刻胶覆盖不上的问题，不仅可简化工艺，还为高深宽比刻蚀工艺提供了另一种解决办法；此外，本发明的压力传感器的压阻在绝缘层上形成，能够保证在300℃高温环境下正常工作。 | ||
| 搜索关键词： | 膜结构 mems 压力传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种硅岛膜结构的MEMS压力传感器，其特征在于：所述传感器包括第二硅层（4），所述第二硅层（4）的下表面设有硅岛膜结构，所述第二硅层（4）的上表面设有第三绝缘层（5），所述第三绝缘层（5）的上表面设有四个压阻，四个压阻通过金属布线进行互联构成惠斯通电桥，所述第三绝缘层（5）的上表面设有引线孔（9）；所述硅岛膜结构包括间隔设置的左硅岛膜组件、中间硅岛膜组件和右硅岛膜组件，左硅岛膜组件、中间硅岛膜组件和右硅岛膜组件从上到下为第二绝缘层（3）和第一硅层（2），所述左硅岛膜组件和右硅岛膜组件的结构相同，所述左硅岛膜组件和右硅岛膜组件上的第一硅层（2）的厚度大于中间硅岛膜组件上的第一硅层（2）的厚度。
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