[发明专利]用于高速低功耗相变存储器的Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种用于高速低功耗相变存储器的Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料，为多层复合膜结构，由Ga40Sb60层和Sb层交替沉积复合而成，将Ga40Sb60层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的Ga40Sb60层沉积在前一个交替周期的Sb层上方。本发明的Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料利用超晶格结构中多层界面的夹持效应，减小晶粒尺寸，从而缩短结晶时间，抑制晶化，使材料在提高热稳定性的同时加快相变速度；并且Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料在相变过程中体积改变小，这就保证了相变层与电极材料之间良好的接触，最终提高相变存储器件的稳定性和可靠性。

主权项

一种用于高速低功耗相变存储器的Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料，其特征在于：Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层复合膜结构，由Ga40Sb60层和Sb层交替沉积复合而成，Ga40Sb60层中含有Ga和Sb两种元素，Ga和Sb的原子比为4∶6，将Ga40Sb60层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的Ga40Sb60层沉积在前一个交替周期的Sb层上方；所述Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料的膜结构用通式[Ga40Sb60 (a)/Sb(b)]x表示，其中a为单层Ga40Sb60层的厚度，1nm≤a≤50nm；b为单层Sb层的厚度，1nm≤b≤50nm；x为Ga40Sb60层和Sb层的交替周期数，x为正整数。