[发明专利]半导体材料的主体和用于制造半导体材料的主体的方法有效
| 申请号： | 201510316863.4 | 申请日： | 2011-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN104916622B | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | A·帕加尼 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体材料的主体和用于制造半导体材料的主体的方法。提供一种半导体材料的主体，其包括衬底(3)和至少一个第一通孔(10)，所述第一通孔(10)至少部分地延伸穿过所述衬底(3)并且具有掩埋在所述衬底(3)中并且从所述主体(2)的外部不可访问的第一末端(10b)，其特征在于，其包括集成在所述衬底(3)中的掩埋微电子结构(28)，以便电耦合到所述第一通孔(10)的所述第一末端(10b)，从而在所述衬底(3)中关闭电路径。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料 主体 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体材料的主体(2)，其包括衬底(3)和至少一个第一通孔(10)，所述第一通孔(10)至少部分地延伸穿过所述衬底(3)并且具有掩埋在所述衬底(3)中并且从所述主体(2)的外部不可访问的第一末端(10b)，其特征在于，其包括集成在所述衬底(3)中的掩埋微电子结构(28)，以便电耦合到所述第一通孔(10)的所述第一末端(10b)，从而在所述衬底(3)中关闭电路径，其中所述掩埋微电子结构(28)限定沿电连接装置(8)与所述第一通孔(10)之间的第一电路径与所述第一通孔(10)串联连接的半导体二极管，所述电连接装置(8)由所述主体(2)承载并用于朝向外部的电连接。
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