[发明专利]混合二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201510315650.X | 申请日： | 2015-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN106298968A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 李理;马万里;赵圣哲;姜春亮 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100871 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种混合二极管及其制作方法，所涉及的混合二极管较现有的混合二极管的抗击穿能力更强，通态压降更低，漏电流更小。所述混合二极管包括：衬底、位于所述衬底上的N型外延层、位于所述N型外延层上的金属层；其中，所述N型外延层包括至少两个沟槽，每个沟槽的侧壁设置有氧化硅层，每个沟槽内填充有P型多晶硅，每个沟槽的底部通过所述N型外延层和所述衬底接触，所述金属层和所述沟槽中的P型多晶硅接触。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种混合二极管，其特征在于，包括：衬底、位于所述衬底上的N型外延层和位于所述N型外延层上的金属层；其中，所述N型外延层包括至少两个沟槽，每个沟槽的侧壁设置有氧化硅层，每个沟槽内填充有P型多晶硅，每个沟槽的底部通过所述N型外延层和所述衬底接触，所述金属层和所述沟槽中的P型多晶硅接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司，未经北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510315650.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：碳化硅二极管及其制备方法
- 下一篇：超势垒二极管的加工方法和超势垒二极管
- 同类专利
- 专利分类
