[发明专利]一种ZnONRs/Au膜复合三维微阵列生物芯片基底及其制备方法

摘要

本发明提供一种新型ZnO NRs/Au膜复合三维微阵列生物芯片基底及其制备方法，属于生物技术领域。该方法先在衬底表面沉积薄膜；然后对得到的薄膜进行活化；最后在得到的活化后的薄膜上生长ZnO NRs，得到新型ZnO NRs/Au膜复合三维微阵列生物芯片基底。本发明还提供上述制备方法得到的新型ZnO NRs/Au膜复合三维微阵列生物芯片基底，将得到的生物芯片基底进行功能化修饰，书写微阵列，获取微阵列的信号，与商业化的基底上获得的信号进行比较。实验结果表明与现有的商业载玻片相比，本发明所述的新型ZnO NRs/Au膜复合三维微阵列生物芯片基底能够提高荧光信号强度从数十倍到上百倍。

主权项

一种ZnO NRs/Au膜复合三维微阵列生物芯片基底的制备方法，其特征在于，该方法包括：步骤一：在衬底表面沉积薄膜，所述的薄膜结构包括：增强吸附层和表面等离激元激发层，所述的增强吸附层包括0.1‑5.0nm的Cr或Ti，表面等离激元激发层包括1‑100nm的Au膜；步骤二：将步骤一得到的薄膜进行活化：将步骤一得到的薄膜浸入到KMnO4水溶液中活化10‑100min，然后在30‑80℃的烘箱中反应；所述的KMnO4水溶液的浓度为1‑100mM；步骤三：在步骤二得到的活化后的薄膜上生长ZnO NRs，具体方法为：将步骤二活化后的薄膜放入由Zn盐溶液、氨水和乙醇胺组成的生长溶液中，在60‑90℃的水浴环境中生长1‑4h；得到ZnO NRs/Au膜复合三维微阵列生物芯片基底；所述的Zn盐溶液包括ZnCl2溶液、Zn(NO3)2·6H2O溶液、ZnSO4·7H2O溶液或Zn(CH3COO)2·2H2O溶液；所述的Zn盐溶液中Zn2+浓度为10‑500mM。